晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”，专利申请号为CN202510473380.9，授权日为2025年6月27日。

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专利摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法，对栅极材料层进行化学机械研磨时，会形成第一负载效应，之后对第一栅极中间层进行预设干法刻蚀以形成栅极，该预设干法刻蚀会产生第二负载效应，由于第一负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越快的效应，而第二负载效应为在刻蚀图案密度越大时研磨速率越慢的效，即第二负载效应与第一负载效应互为反向负载效应，也就是说，第二负载效应对化学机械研磨产生的第一负载效应有反向控制的效果，改善了化学机械研磨产生的第一负载效应。此外，对第一介质材料层进行原子层刻蚀时，由于原子层刻蚀是自限制化学反应，刻蚀更精确，减少了缺陷产生。

今年以来晶合集成新获得专利授权189个，较去年同期增加了11.83%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目626次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1157条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可17个。

数据来源：天眼查APP

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