芯联集成获得发明专利授权：“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法”，专利申请号为CN202210195669.5，授权日为2026年3月6日。

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专利摘要：本申请涉及一种屏蔽栅沟槽型场效应晶体管及其制作方法，其中，屏蔽栅沟槽型场效应晶体管包括：提供基底，并于基底内形成初始沟槽；于初始沟槽的侧壁形成第一牺牲保护层；对基底继续进行刻蚀，以于初始沟槽底部形成第一沟槽；于第一沟槽的槽壁表面形成屏蔽栅介质层；去除第一牺牲保护层，且对基底继续进行刻蚀，以将初始沟槽扩展而形成第二沟槽；形成屏蔽栅极、隔离结构、控制栅介质层以及控制栅极，屏蔽栅极形成于第一沟槽内，控制栅极形成于第二沟槽内，隔离结构形成于屏蔽栅极与控制栅极之间，控制栅介质层形成于控制栅极与第二沟槽的侧壁之间。本申请可以在进行良好的多晶硅填充的同时，有效保证屏蔽栅极的屏蔽功能。

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今年以来芯联集成新获得专利授权7个，较去年同期减少了22.22%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1739次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息805条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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