思特威获得发明专利授权：“单光子雪崩光电二极管及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示思特威（688213）新获得一项发明专利授权，专利名为“单光子雪崩光电二极管及其制备方法”，专利申请号为CN202111414430.4，授权日为2026年5月12日。

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专利摘要：本发明提供一种单光子雪崩光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：半导体基底，深沟槽区，自半导体基底的第一主面延伸至半导体基体内部；阴极区，包括设置于半导体基底的第一主面的第一阴极部和设置于深沟槽区外周侧且沿深沟槽区延伸至半导体基底内部的第二阴极部；缓冲区，包括设置于第一阴极部的外周侧与下方的第一缓冲部和设置于第二阴极部外周侧的第二缓冲部，缓冲区与阴极区的接触区域形成雪崩区；阳极区，设置于半导体基体的上部；以及光电信号转换区，设置于半导体基体内部。本发明的单光子雪崩光电二极管具有低时间抖动的优点，采用本发明单光子雪崩光电二极管的飞行时间传感器探测具有较高的测距精度。

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今年以来思特威新获得专利授权42个，较去年同期增加了20%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了6.18亿元，同比增38.16%。

通过天眼查大数据分析，思特威（上海）电子科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息258条，专利信息660条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可25个。

数据来源：天眼查APP

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